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作者 標題 [轉寄]Re: [新聞] 晶片〔蓋高樓〕英特爾大突破
時間 2011年05月05日 Thu. PM 01:53:02
※ 本文轉寄自 angelplume.bbs@ptt.cc
看板 Gossiping
作者 標題 Re: [新聞] 晶片〔蓋高樓〕英特爾大突破
時間 Thu May 5 13:15:50 2011
※ 引述《anangigi (lvan)》之銘言:
: http://tw.news.yahoo.com/article/url/d/a/110505/1/2qzo2.html
: (法新社舊金山4日電)
: 晶片大廠英特爾(Intel)今天宣布晶片重大突破,可望讓手機效能更強,卻更加省電。
: 這間美國晶片廠說,這是50多年前發明矽電晶體以來,首次以3維而非2維方式大量生產。
: 英特爾「革命性」的三門(Tri-Gate)電晶體,捨棄只往兩側擴充的方式,改由往上增加
: ,如同高樓大廈內部空間比一堆矮平房更多。
: 英特爾早在2002年就宣布三門晶片,如今以22奈米製程生產。
: 英特爾說,低電壓和低耗電,遠超過我們平常所見的晶片時代躍進。
: ------------------------------------------------------------------------
: 有沒有神人可以解釋一下什麼叫做三門??
下面只是非常簡單的說明,並不一定100%符合實際原理,切記。
一個電晶體大概長下面這樣,通道被打開了,電子就能從起點游到終點,
通道沒被打開,電子就只能乖乖地在起點那等。
┌───────┐
│通道的開關 │
│ │
┌──────┴───────┴──────┐
│ │
├──────┬───────┬──────┤
│ 電子起點 │通 ~~~● │ 電子終點 │
│ │道 ~~~● │ │
│ │ ~~~● │ │
└──────┴───────┴──────┘
↑上面是電子
絕對不像某種東西
電晶體的中央部份就像是個電容似的....(不是綠豆糕)
↓
┌───────┐
│通道的開關 │ 電容,就是你加個電壓在上面,
│ │ 就有很多 ~~~● 電子在裡面的一個東西。
┴───────┴
假如左邊這個,通道的開關全開的話,
┬───────┬ 通道只會有3個 ~~~● 在裡面。
│通 ~~~● │
│道 ~~~● │ 要是我想要有更多的~~~●的話咧?
│ ~~~● │
┴───────┴
阿就把這個做大阿! 複制再貼上2次,~~~●就變三倍囉。
大小、長度也變三倍。
┌───────┐┌───────┐┌───────┐
│通道的開關 ││通道的開關 ││通道的開關 │
│ ││ ││ │
┴───────┴┴───────┴┴───────┴
┬───────┬┬───────┬┬───────┬
│通 ~~~● ││通 ~~~● ││通 ~~~● │
│道 ~~~● ││道 ~~~● ││道 ~~~● │
│ ~~~● ││ ~~~● ││ ~~~● │
┴───────┴┴───────┴┴───────┴
嘿嘿嘿,有9個~~~●了。
什麼? 你說這樣做的話,面積就太大了,
用砂子做的CPU塞不了多少這樣大面積的東西。
簡單阿,發揮國軍精實般折棉被的奧義就能解決了。
先折左邊…
┌───────────┐┌───────┐
│ 通道的開關 ││通道的開關 │
│ ││ │
│ ┌─────────┴┴───────┴
│ │
│ │ ┌───────┬┬───────┬
│ │ │通 ~~~● ││通 ~~~● │
│ │ │道 ~~~● ││道 ~~~● │
│ │ │ ~~~● ││ ~~~● │
│ │ ├───┬───┴┴───────┴
│ │ │~~~● │
│ │ │~~~● │
│ │ │~~~● │
│ │ │ │
│ │ │ │
└─┴─┴───┘
再折右邊…
┌───────────────┐
│ 通道的開關 │
│ │
│ ┌───────────┐ │
│ │ │ │
│ │ ┌───────┐ │ │
│ │ │通 ~~~● │ │ │
│ │ │道 ~~~● │ │ │
│ │ │ ~~~● │ │ │
│ │ ├───┬───┤ │ │
│ │ │~~~● │ ~~~●│ │ │
│ │ │~~~● │ ~~~●│ │ │
│ │ │~~~● │ ~~~●│ │ │
│ │ │ │ │ │ │
│ │ │ │ │ │ │
└─┴─┴───┴───┴─┴─┘
你看看,我要三倍多的~~~●,面積大小卻沒跟著也三倍,
是不是很厲害?
開關只開一樣的大小(加電壓),出來的電子~~~●卻更多,
如果我要的~~~●數目跟以前一樣就好,
這樣代表的就是開關可以開小一點就ok了 (加的電壓可以變小),
就也能省電。
三門(Tri-Gate)電晶體……
就是上面那個被折的綿被,折三個放在一起。
圖:
http://www.bbc.co.uk/news/technology-13283882
或
原本攤平(2D)的東西,你把它折成那樣凸上來叫作3D也不是不能啦,
只不過這說法會跟另一個叫3D電晶體的東西有點不太一樣。
另外一個叫3D電晶體的,才是真正把電晶體像蓋大樓那樣,
一層一層的電晶體堆疊做上去。
而這個三門(Tri-Gate)電晶體,三個被折的綿被那樣,
也有點像是鰭片 (fin),所以也算是 finFET 的一種。
↑ ↑這個T是指電晶體transistor
CPU風扇貼在散熱鰭片(fin)上
所以對鰭片的形狀有印象吧?!
原文:英特爾早在2002年就宣布三門晶片,如今以22奈米製程生產。
而finFET的概念,其實並不是很新的,
至於為啥intel現在才把它應用,
就請真正做這方面的研究的強者大大來說明吧。 0.0 (我不是做這方面的小嫩咖)
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◆ From: 140.118.181.80
→ :~~~~~~~~~~~~~~~~~~●1F 05/05 13:16
推 :XDDDD2F 05/05 13:17
推 :~~~●~~~●~~~●~~~●~~~●~~~●~~~●~~~●~~~●~~~●3F 05/05 13:17
推 : ~~~~~~~~~~~~~~~~~~●4F 05/05 13:17
→ :實驗室做出來有啥了不起 還不是得靠台積量產@@5F 05/05 13:17
推 :1186F 05/05 13:17
推 :不愧是118 xD7F 05/05 13:17
※ 編輯: pttresident 來自: 140.118.181.80 (05/05 13:18)推 :我覺得這篇會爆8F 05/05 13:18
推 :~~~~~~~~~~~~~~~~~~● wwww9F 05/05 13:18
→ :118 118 118 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~●
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推 :腿軟了......11F 05/05 13:18
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→ :intel 自己有 fab 不用給 TSMC 量產吧......20F 05/05 13:20
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→ :會說創新大概是因為把22nm的技術應用在tri-gate上吧38F 05/05 13:29
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推 :原來電子跟精蟲長的很像(筆記中)44F 05/05 13:34
推 :我大學的電子學有這樣專的人來敎我,就不會三修了..45F 05/05 13:35
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