※ 本文為 MindOcean 轉寄自 ptt.cc 更新時間: 2013-07-24 22:37:19
看板 MobileComm
作者 標題 [情報] Samsung宣佈量產3GB LPDDR3記憶體
時間 Wed Jul 24 15:37:24 2013
http://global.samsungtomorrow.com/?p=26067
Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones | SAMSUNG TOMORROW Global Samsung Electronics announced the industry’s first mass production of three gigabyte (GB) low power double data rate 3 (LPDDR3) mobile DRAM, the highest density mobile memory solution for next-generation smartphones, which will bring a generation shift to the market from the 2GB packages that are wi ...
The Samsung 3GB LPDDR3 mobile DRAM uses six of the industry’s smallest
20-nanometer (nm) class* four gigabit (Gb) LPDDR3 chips, in a symmetrical
structure of two sets of three chips stacked in a single package only 0.8
millimeters high
簡單翻譯:使用六個20nm製程的4Gb LPDDR3 顆粒組成,高度僅有0.8mm
心得:2GB ram在今年下半年就是萬元機的標配了吧
--
▄▄ █▌▄▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄█▄▄ ▄▄█▌▌
▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄███▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▌▄▄▌█▌▌
▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▌ ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▌▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄
██████▄██▄▄▄▄▄▄▄▄█▄▄▄▄▄▄▄▄ ▌▄▄▄▄▄▄ Yuzuki
██████▄▄▄ ▄ ▄▄▄██▄▄▄▄ ▄▄█▄▄▄▄
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 60.251.182.145
推 :電蝦版要唉唉叫摟QQ1F 07/24 15:44
推 :desire表示:2F 07/24 16:21
→ :Desire有sense加三千阿 不能比3F 07/24 16:24
推 :HTC的萬元機大概不會跟上2G RAM4F 07/24 16:25
推 :HTC四大天王堅守512MB5F 07/24 16:25
→ :這應該是Note3的Ram了
→ :這應該是Note3的Ram了
→ :而且有sense的HTC 實際可用RAM大約要比其他家少256MB7F 07/24 16:27
→ :感覺根本是在明示note3的規格 5420 + 3GRAM8F 07/24 16:27
→ :樓上得到它了9F 07/24 16:28
→ :規格 沒有極限10F 07/24 16:29
推 :體驗/質感 > 追硬體的大廠 IOS-蘋果 Android - h T C11F 07/24 16:29
→ :為什麼沒有4G13F 07/24 16:32
→ :塞不進去14F 07/24 16:36
推 :留著明年更新15F 07/24 16:42
→ :我不想要5420的NOTE3....我想要S800的NOTE3....16F 07/24 16:59
→ :DDR3耶 現在是不是都DDR2比較多?17F 07/24 17:12
推 :其實是卡在CPU可不可以吃啦,LPDDR3比DDR3L低電壓,功18F 07/24 17:15
→ :耗可能比較小吧? 其實MTK的8389就可以用DDR3L, 但實
→ :用起來我還真的感受不出差別, 等LPDDR3跟可以好好發
→ :RAM的CPU普及後才曉得好壞了~
→ :耗可能比較小吧? 其實MTK的8389就可以用DDR3L, 但實
→ :用起來我還真的感受不出差別, 等LPDDR3跟可以好好發
→ :RAM的CPU普及後才曉得好壞了~
→ :samsung的20nm沒問題了?22F 07/24 17:19
→ :dram工藝的意義不同23F 07/24 17:33
→ :對邏輯產品而言,指的是電路佈局上的閘極寬度
→ :對DRAM產品而言,是指1/2的pitch(spacing + width)
→ :對邏輯產品而言,指的是電路佈局上的閘極寬度
→ :對DRAM產品而言,是指1/2的pitch(spacing + width)
推 :dram製程微縮跟logic微縮製程難度有差26F 07/24 21:21
推 :三爽這顆應該是有用TSV技術下去堆疊出來的
推 :三爽這顆應該是有用TSV技術下去堆疊出來的
--
※ 看板: CPLife 文章推薦值: 0 目前人氣: 0 累積人氣: 197
回列表(←)
分享