[新聞] 張忠謀：3奈米製程會出來 2奈米後很難 - K_hot板

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作者 AAAB ()
標題 [新聞] 張忠謀：3奈米製程會出來 2奈米後很難
時間 Sat Sep 23 21:13:05 2017

晶圓代工廠台積電董事長張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續10年，3奈米製程應該會
出來，2奈米則有不確定性，2奈米之後就很難了。

張忠謀今天出席交通大學EMBA的20週年慶活動，演講「成長與創新」。張忠謀面對聽眾提
問時指出，「摩爾定律是否到盡頭」這題目已經談了很多年。

張忠謀表示，1998年英特爾（Intel）總裁貝瑞特來台時，兩人曾針對摩爾定律還可延續
多久進行討論，他當時回答還有15年，貝瑞特較謹慎回答，大概還有10年。

現在已經2017年，張忠謀表示，兩人當時的答案都錯了；他指出，目前大膽預測摩爾定律
可能再有10年。

張忠謀表示，台積電明年將生產7奈米製程，5奈米已研發差不多，一定會出來，3奈米也
已經做2至3年，看來也是會出來。

張忠謀指出，先進製程設計很貴，設計後做成晶片，市場會很小的確是個疑慮，他認為，
儘管不保證市場會很大，但還是會有市場。

張忠謀解釋，他預測摩爾定律可能再有10年，是包含了3奈米製程，2奈米做的成還是做不
成，還要幾年才會知道，有不確定性，2奈米之後很難了。

摩爾定律是由英特爾創辦人Gordon Moore提出，指晶片上可容納的電晶體密度，約每18至
24個月便會增加一倍。

http://www.cna.com.tw/news/afe/201709230112-1.aspx

張忠謀：3奈米製程會出來 2奈米後很難 | 財經 | 中央社即時新聞 CNA NEWS

（中央社記者張建中新竹23日電）晶圓代工廠台積電董事長張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續10年，3奈米製程應該會出來，2奈米則有不確定性，2奈米之後就很難了。 | 財經 ...

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推 ptta: 台積電再戰十年！1F 09/23 21:14

推 cloud7515: 根本外星科技2F 09/23 21:16

推 HardyJJ: Apple 設計只剩這賣點了？ a12..a13...a14...???3F 09/23 21:16
→ HardyJJ: iPhone 8跟7比差在那？媽的還更醜
→ HardyJJ: 根本拉機

推 d147258: 這樣還能稱為定律嗎？6F 09/23 21:19

推 hardware: 2應該5年後7F 09/23 21:20

推 NSYSUEE: 遲早走到物理極限，除非找到新的物質或材料8F 09/23 21:23

→ stosto: 重點是你做出來推在那邊沒人會封裝阿9F 09/23 21:23

推 tivallion: 十年剛好我可以退休10F 09/23 21:24

推 Cger: morris預測較準難怪幹掉intel 實力有差11F 09/23 21:24

推 MRFROG: 我30nm12F 09/23 21:26

→ Yujjlin: 3nm???出來信心喊話ㄇ，極度樂觀的看法13F 09/23 21:40

推 youkiller: 樓上，嗆GG的，草都比人高囉14F 09/23 21:45

推 void0: 我信GG15F 09/23 21:55

推 b2209187: 整天說gg幹掉intel是很認真的嘛16F 09/23 21:57

→ wtl: GG的3nm等於intel的幾nm?17F 09/23 22:15

噓 jwcscv: 摩爾定律工程師的業績指標18F 09/23 22:25

推 cloud7515: 市值不是超越了嗎19F 09/23 22:47

推 pandoniswu: 1奈米是極限嗎？20F 09/23 23:00

推 luckysmallsu: 3nm跟2nm效能會差很多嗎.......21F 09/23 23:09

推 lponnn: 台積和三星都是灌水的啦22F 09/23 23:13

推 tivallion: 不是說重點是封裝跟不上嗎23F 09/23 23:14

→ smallmeo: 3nm -> 2nm 縮小1/3喔24F 09/23 23:16

→ tenninetall: 先定義一下兩邊的奈米是不是一樣的單位XD25F 09/23 23:21

推 ssd4107: 可能往SiP走吧？臺積電已經有研發封裝技術26F 09/23 23:22

推 mathlover: 做那麼小到底要幹嘛？27F 09/23 23:24

推 ssd4107: 一奈米是物理上的極限，但不代表不能以其他方式增加效能28F 09/23 23:25

推 cancboy: 灌水的啦~29F 09/23 23:32

→ Cliffx: GG要GG了30F 09/23 23:35

→ nemies: 用準分子雷射慢慢打阿，然後再來哭沒電......31F 09/23 23:43

噓 mm978: 從十年前就在說已經物理極限再多喊十年總是會對32F 09/23 23:45

推 youkiller: GG 24名 intel 36名一定有人跳出來嗆市值不重要強33F 09/24 00:21
→ youkiller: 烈建議GG買下intel

→ swyehe: 幹想說再5年就可以順理成章的離職真他阿公的35F 09/24 01:00

推 ice80712: 我只知道摩里斯定律>>摩爾定律36F 09/24 01:24

推 speakristen: 為什麼1奈米是極限? 不可能做到5埃嗎？37F 09/24 01:41

推 bikigaya: 難怪看到有sng車38F 09/24 01:41

推 nikolas: 80幾歲了還這麼認真張爺爺真是不簡單39F 09/24 02:03

推 Ndaydayman: 3nm出來後張差不多也完全交棒接班人了吧，剩下就不是40F 09/24 02:43
→ Ndaydayman: 他的事了

推 stl3: 如果製程成本高到一個程度大概也不會再研發了吧畢竟GG是工42F 09/24 02:45
→ stl3: 廠而不是研究單位做出來沒人買就沒意義了

推 ZXCWS: 改走立體結構44F 09/24 03:05

→ hylkevin: 1nm=1000pm 以前.13um時代也是一天到晚說物理極限結果45F 09/24 04:02
→ hylkevin: 不到20年又縮了20倍

推 hsbtw: 希望Morris能再戰十年47F 09/24 06:37

推 Noel7788: 一個氫原子直徑大約1A，代表1nm就是10個氫原子排起來這48F 09/24 07:48
→ Noel7788: 麼長......3nm能成功的話，真的很噁心.....

推 nick65415: 樓上弄清處CD的定義好嗎50F 09/24 08:27

推 ljsnonocat2: 現在的奈米都不奈米了都是等效長度51F 09/24 09:02

推 Cys0418: 我們可以封裝啊啊啊啊啊52F 09/24 10:12

推 ciplu: 量子CPU啥時要出？53F 09/24 10:17

推 babypanda: finfet繼續努力54F 09/24 10:28

推 tomwu770926: 穿隧效應55F 09/24 10:37

推 iamgyfan: GAA56F 09/24 11:25

推 francishsu: 三年後的事先做好就好了57F 09/24 11:57
→ francishsu: 十年後...台灣人會怎樣再說吧

推 pooboy01: 可以做但沒經濟效益而已研發成本太貴了59F 09/24 13:37
→ pooboy01: 2025差不多除非電池有突破不然未來應用的裝置其實不
→ pooboy01: 太需要用到更省電力的商品吧目前CPU效能夠用了

推 Clemens71: 可悲的是就算3nm開發出來量產薪水獎金也不會多管他幾62F 09/24 14:22
→ Clemens71: nm

推 ohsong: 用在人體裡面的ic越小越好吧64F 09/24 14:58

推 allenc38: 樓下老二1奈米製程65F 09/24 16:13

推 udtsean: 第一顆電晶體不是Si,而是Ge，結果幾十年後又走回來Ge(SiG66F 09/24 21:43
→ udtsean: e),Ge or SiGe 的mobility大於Si, I proportional to u*W
→ udtsean: /L, u 變大，L就可以不用縮小，間接等效比較小的L搭配Si
→ udtsean: 。另一個是SiP的3D IC, 在 z 方向堆疊，也等同於面積不變
→ udtsean: 、電流變大(等效上Channel length L 變小)。用excimer la
→ udtsean: ser 慢慢打是不行的，因為excimer laser 的 wavelength (
→ udtsean: 248, 193, 157 nm) 遠大於 3nm, 所以 ASML 才會那麼費功
→ udtsean: 夫的一路慢慢激發轉換波長，也因此導致耗電(能源利用效率
→ udtsean: 差，中間一堆轉換成熱)。接下來不是e-beam就是 X-ray 了
→ udtsean: 吧！哈哈

推 Shepherd1987: 樓上哈哈76F 09/24 23:28

推 wellkom: 還在那邊嘴封裝，明教三口都已經出局了，一定是GG自己來77F 09/25 12:00

推 jjrdk: 出個超省電的比較實在78F 09/25 12:37

推 mbor: 差不多了79F 09/25 15:01

推 udtsean: 接下來會是 Silicon Nanowire,先用Lithography定義Au，然80F 09/25 22:05
→ udtsean: 後利用AuSi eutectic point低的特性長出Silicon nanowire
→ udtsean: 。曝光要曝出2nm or 3nm很難，可是sputter要depo 2nm 3nm
→ udtsean: 的Au很簡單。

→ HFET: 即便 tech node naming 變成 code name, G翁星人還是猛猛der84F 09/26 22:44
→ HFET: Sieg Ｇ翁！Sieg Ｇ翁！

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