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作者 標題 [新聞] 英特爾採用新戰略──拋棄節點命名、採用
時間 Wed Jul 28 11:08:58 2021
原文標題：
英特爾採用新戰略──拋棄節點命名、採用兩大開創性技術、強化晶圓代工服務，期望再
創高峰
(請勿刪減原文標題)
原文連結：
https://bit.ly/2UNiFFV
市場報導 ： 英特爾調整2025年製程和封裝技術藍圖──拋棄節點命名、採用兩大開創性技術 - 科技產業資訊室(iKnow)
![[圖]]()
英特爾於2021年7月26日公佈了至2025年的製程技術和封裝技術藍圖。除了公佈其近十多年來，首個全新電晶體架構RibbonFET和業界首個全新的背部供電設計PowerVia之外，英特爾還重點介紹了迅速採用下一代EUV技術的計畫，即高數值孔徑（High-NA）EUV。為了擺脫英特爾製程技術落後台積電 ...
![[圖]](http://iknow.stpi.narl.org.tw/Post/Figures/2021/market/ic_18083a_20210728.png)
發布時間：
2021年7月28日
(請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容：
英特爾於 2021 年 7 月 26 日公佈了至 2025 年的製程技術和封裝技術藍圖。除了公佈
其近十多年來，首個全新電晶體架構 RibbonFET 和業界首個全新的背部供電設計
PowerVia 之外，英特爾還重點介紹了迅速採用下一代 EUV 技術的計畫，即高數值孔徑（
High-NA）EUV。
為了擺脫英特爾製程技術落後台積電與三星的情況，其決定透過製程節點重新命名策略，
反應未來半導體技術的不再單純以節點判斷的定律。過去英特爾是以閘極長度為準作為命
名的方式，但隨著半導體製程技術的進步與分歧，其推出了全新的製程節點命名方式，未
來將以『Intel 7』、『Intel 4』、『Intel 3』 以及『Intel 20A』等作為新製程節點
的名稱，顛覆了以奈米為主的技術藍圖模式。
反應未來半導體技術的不再單純以節點判斷的定律。過去英特爾是以閘極長度為準作為命
名的方式，但隨著半導體製程技術的進步與分歧，其推出了全新的製程節點命名方式，未
來將以『Intel 7』、『Intel 4』、『Intel 3』 以及『Intel 20A』等作為新製程節點
的名稱，顛覆了以奈米為主的技術藍圖模式。
換句話說，英特爾的最新命名體系，是基於客戶看重的關鍵技術參數而提出的，包含：性
能、功率和面積。這對於未來十年，半導體將走向超越1奈米節點帶來創新的命名方式。
能、功率和面積。這對於未來十年，半導體將走向超越1奈米節點帶來創新的命名方式。
英特爾描述了以下路線圖，其中包含新節點名稱和支持每個節點的創新：
基於 FinFET 電晶體優化，英特爾 7 與英特爾 10nm SuperFin 相比，每瓦性能提高了大
約 10% 到 15%。Intel 7 將在 2021 年用於客戶端的 Alder Lake 和用於數據中心的
Sapphire Rapids 等產品中採用，預計將於 2022 年第一季度投入生產。
Intel 4 完全採用 EUV 微影機技術，使用超短波長光列印令人難以置信的小型化特徵。
憑藉每瓦性能約 20% 的提升以及面積的改進，Intel 4 將在 2022 年下半年投入生產，
用於 2023 年出貨的產品，包括用於客戶端的 Meteor Lake 和用於數據中心的 Granite
Rapids。
憑藉每瓦性能約 20% 的提升以及面積的改進，Intel 4 將在 2022 年下半年投入生產，
用於 2023 年出貨的產品，包括用於客戶端的 Meteor Lake 和用於數據中心的 Granite
Rapids。
Intel 3 利用進一步的 FinFET 優化和增加的 EUV，與 Intel 4 相比，每瓦性能提高了
約 18%，並進一步改進了面積。Intel 3 將準備在 2023 年下半年開始製造產品。
Intel 20A 憑藉 RibbonFET 和 PowerVia 兩項突破性技術開啟了埃時代。RibbonFET 是
英特爾實施的環柵電晶體（gate-all-around transistor），將成為該公司自 2011 年率
先推出 FinFET 以來的第一個新電晶體架構。該技術可提供更快的電晶體開關速度，同時
在佔用更小的面積內實現與多個鰭片相同的驅動電流。PowerVia 是英特爾獨特的業界首
創的背面供電實施方案，通過消除晶圓正面供電佈線的需要來優化信號傳輸。Intel 20A
預計將在 2024 年推出。也獲得與高通合作採用Intel 20A 技術。
英特爾實施的環柵電晶體（gate-all-around transistor），將成為該公司自 2011 年率
先推出 FinFET 以來的第一個新電晶體架構。該技術可提供更快的電晶體開關速度，同時
在佔用更小的面積內實現與多個鰭片相同的驅動電流。PowerVia 是英特爾獨特的業界首
創的背面供電實施方案，通過消除晶圓正面供電佈線的需要來優化信號傳輸。Intel 20A
預計將在 2024 年推出。也獲得與高通合作採用Intel 20A 技術。
2025 年及以後： 除了 Intel 20A，Intel 18A 已經在 2025 年初開發，對 RibbonFET
進行改進，並定義、構建和部署下一代高效NA EUV。英特爾正與 ASML 密切合作，以確保
在半導體行業領先當前 EUV 。
從歷史來看，英特爾引領半導體產業從 90 奈米應變矽向 45 奈米高 K 金屬柵極過渡，
並在 22 奈米時率先引入 FinFET。英特爾現今希望其憑藉 RibbonFET 和 PowerVia 兩大
開創性技術，讓 Intel 20A 成為製程技術的另一個分水嶺。
並在 22 奈米時率先引入 FinFET。英特爾現今希望其憑藉 RibbonFET 和 PowerVia 兩大
開創性技術，讓 Intel 20A 成為製程技術的另一個分水嶺。
除此之外，英特爾正與 ASML 密切合作，將致力於定義、建構和部署下一代高數值孔徑
EUV（High-NA EUV）。預計英特爾可望率先獲得業界第一台的 High-NA EUV 光刻機，並
計畫在2025年成為首家在生產中實際採用 High-NA EUV 的晶片製造商。
EUV（High-NA EUV）。預計英特爾可望率先獲得業界第一台的 High-NA EUV 光刻機，並
計畫在2025年成為首家在生產中實際採用 High-NA EUV 的晶片製造商。
因此，除了高通將採用英特爾代工服務（IFS）之外，亞馬遜的 AWS 將成為首個使用
IFS 封裝解決方案的客戶。未來是否有更多客戶加入，將成為英特爾能否在晶圓代工領域
勝負的關鍵。
根據英特爾規劃，其於 2023 年將交付 Foveros Omni 和 Foveros Direct 之外的其他先
進封裝技術，將其在電子封裝過渡到整合矽光子學的光學封裝都成為領導者。並繼續與
Leti、IMEC 和 IBM 在內的產業夥伴密切合作，進一步發展製程和封裝技術。
從以上的種種動作，都表示著英特爾想要以重新定義以及在半導體技術的深度等方式來超
越台積電與三星，進而重新回到半導體製造第一的寶座。
心得/評論： ※必需填寫滿20字
Intel公布新半導體技術路線圖，採用EUV技術的產品將在明年投產。代工業務也取得了高通訂單。
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→ : INTEL天天發新聞 感覺就是在騙 XD1F 07/28 11:10
→ : 英特爾CEO很忙，每天都在想新聞稿怎麼寫2F 07/28 11:11
推 : 這家哪來那麼多有的沒的新聞3F 07/28 11:11
推 : ==4F 07/28 11:11
推 : 龍巖持有成本還是賺的5F 07/28 11:12
→ kid1a2b3c4d …
推 : gg今年5字頭收尾 6字頭五年後7F 07/28 11:13
推 : 龍巖當初要是全轉倉到google 會更賺好嗎8F 07/28 11:13
推 : 這種一直說故事發新聞的，高於50都別買9F 07/28 11:13
推 : 神經病 我改名叫巴菲特就會賺錢了嗎10F 07/28 11:14
推 : 5奈米分好幾代4奈米再分好幾代的意思啦11F 07/28 11:14
推 : INTC484以為改名字可以改運勢XD12F 07/28 11:14
→ : 嘴砲就能壓制gg也是種本事好嗎13F 07/28 11:14
→ : 改名黑人牙膏應該就暴賺 XD14F 07/28 11:15
推 : 明天就去戶政事務所改名叫貝佐斯15F 07/28 11:15
推 : 牙膏下去16F 07/28 11:15
推 : 奈米節點上拼不過 就換個名字模糊化技術核心 厲害了17F 07/28 11:16
推 : 然後INTC續跌 成就我大AMD18F 07/28 11:16
→ : 你先把你最新的英特爾七奈米做出來並且可以量產19F 07/28 11:18
→ : 我們再來說剩下的
→ : 我們再來說剩下的
→ : 剩一支嘴的公司21F 07/28 11:19
推 : 預計明年追上台G22F 07/28 11:21
推 : 台積不要接英戴兒的單了啦23F 07/28 11:22
推 : CEO很怕股價跌被開除齁24F 07/28 11:22
→ : 正面玩不贏 開始布局上下游搞別人了25F 07/28 11:24
推 : 改名東西就做的出來了？26F 07/28 11:24
推 : ribbon 跟三星的mbcfet 概念一樣啊 這麼多怪名詞27F 07/28 11:25
→ : 然後再用新的名詞混淆市場 這CEO看來很懂怎麼鬥28F 07/28 11:25
推 : 發ppt就能幹掉GG的公司29F 07/28 11:25
→ : 運氣好的話可以像三星一樣騙個幾年30F 07/28 11:26
推 : 看來放棄跟GG拼了 改名騙騙補助31F 07/28 11:26
→ : 就一個簡單邏輯，如果製程推進可以那麼順利，英特32F 07/28 11:27
→ : 爾跳下來代工要幹嘛？自己用都不夠了
→ : 爾跳下來代工要幹嘛？自己用都不夠了
→ : .........34F 07/28 11:29
推 : 改名字良率就會起來了嗎 馬的又在做PPT35F 07/28 11:29
→ : 不要發明新名詞來搞亂市場36F 07/28 11:29
推 : 校正回歸37F 07/28 11:31
推 : 馬的 一直放話38F 07/28 11:37
推 : 文字遊戲39F 07/28 11:43
推 : 科技以改名為本40F 07/28 11:43
推 : 原來我改名叫做周子瑜 就會超越周子瑜本人41F 07/28 11:49
推 : 笑死 10改7就做出7奈米哦42F 07/28 11:52
推 : 命名問題 算三星帶頭搞的43F 07/28 11:53
推 : 先模糊的明明是GG44F 07/28 11:56
推 : 所以貨交不出來會被客戶...？45F 07/28 11:58
噓 : 外星人淪落到這樣....46F 07/28 12:12
推 : 西方也懂。改名換運啊。47F 07/28 12:19
推 : 都跟三星學壞了48F 07/28 12:20
→ : 以這個邏輯來說 你英特爾改名成台積電 不就有3奈米49F 07/28 12:21
→ : 了 真笨
→ : 了 真笨
推 : 改名來改運。 真迷信51F 07/28 12:29
→ : 講的像做出來一樣52F 07/28 12:41
![[圖]](https://i4.disp.cc/imgur/Jsf5ZrF.jpg)
推 : 跟買牛頭牌的車，拔logo換匹馬上去，就很會跑。有54F 07/28 12:42
→ : 87%像
→ : 87%像
推 : 問一下，背面供電的話，要怎麼散熱？56F 07/28 12:55
推 : 換個角度看，3D封裝的晶片堆疊，本來就會用到背部
→ : 來佈局線路，這Intel 的技術有啥不一樣呢？
推 : 換個角度看，3D封裝的晶片堆疊，本來就會用到背部
→ : 來佈局線路，這Intel 的技術有啥不一樣呢？
推 : 重新定義製程能力？ 洋人真會玩59F 07/28 13:01
推 : 效能跟耗電率才是關鍵，新ceo務虛不務實，感覺intel60F 07/28 13:12
→ : 以後會很慘
→ : 以後會很慘
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