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作者 標題 [新聞] 台積電次世代記憶體大突破 搶食AI、高效
時間 Fri Jan 19 00:15:32 2024
原文標題：台積電次世代記憶體大突破 搶食AI、高效能運算商機
原文連結：https://udn.com/news/story/7240/7717109
![[圖]](https://img.disp.cc/t/o/pgw.udn.com.tw_gw_ph98eae403d7b168005979e35cca6c0c39.jpg)
發布時間：2024-01-18 05:20
記者署名： 記者 蘇嘉維 李珣瑛／台北、新竹報導
原文內容：
台積電（2330）今天法說會登場前夕，昨（17）日搶先報喜，在次世代MRAM記憶體相關技
術傳捷報，攜手工研院開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（SOT-MRAM）陣列晶片，搭配創新
的運算架構，功耗僅其他類似技術的1%，稱霸業界，為台積電搶攻AI、高效能運算（HPC
）等當紅商機增添動能。
術傳捷報，攜手工研院開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（SOT-MRAM）陣列晶片，搭配創新
的運算架構，功耗僅其他類似技術的1%，稱霸業界，為台積電搶攻AI、高效能運算（HPC
）等當紅商機增添動能。
業界指出，AI、5G時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用，都需要
更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體，MRAM採用硬碟中常見的精緻磁性材料，能滿足新
世代記憶體需求，吸引三星、英特爾、台積電等大廠投入研發。
更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體，MRAM採用硬碟中常見的精緻磁性材料，能滿足新
世代記憶體需求，吸引三星、英特爾、台積電等大廠投入研發。
過去MRAM主要應用在車用或基地台等，由於MRAM架構特性，使得資料保存、寫入耐久性及
寫入速度等三大特點並無法兼得，數年前出現自旋轉移扭矩（STT-MRAM）更新架構，解決
上述三大特點無法兼得的問題，並進入商用化。
寫入速度等三大特點並無法兼得，數年前出現自旋轉移扭矩（STT-MRAM）更新架構，解決
上述三大特點無法兼得的問題，並進入商用化。
台積電已經成功開發出22奈米、16／12奈米製程等相關MRAM產品線，並手握記憶體、車用
等市場訂單，搶占MRAM商機。台積電乘勝追擊，與工研院攜手開發出SOT-MRAM陣列晶片，
搭配創新的運算架構。
等市場訂單，搶占MRAM商機。台積電乘勝追擊，與工研院攜手開發出SOT-MRAM陣列晶片，
搭配創新的運算架構。
工研院昨天宣布，此次與台積電合作的開發出SOT-MRAM陣列晶片，搭配創新的運算架構，
適用於記憶體內運算，且功耗僅為STT-MRAM的1%，相關研發成果領先國際，並在全球微電
子元件領域頂尖會議「國際電子元件會議（IEDM）」共同發表論文，展現次世代記憶體技
術的研發能量，維持台灣半導體在全球產業不可或缺的地位。
適用於記憶體內運算，且功耗僅為STT-MRAM的1%，相關研發成果領先國際，並在全球微電
子元件領域頂尖會議「國際電子元件會議（IEDM）」共同發表論文，展現次世代記憶體技
術的研發能量，維持台灣半導體在全球產業不可或缺的地位。
工研院電子與光電系統所所長張世杰指出，工研院與台積電繼去年在全球半導體領域頂尖
的「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits
）共同發表論文之後，今年更開發出兼具低功耗、10奈秒高速工作等優點的SOT-MRAM單元
。
的「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits
）共同發表論文之後，今年更開發出兼具低功耗、10奈秒高速工作等優點的SOT-MRAM單元
。
MRAM本身就需要透過精緻磁性材料打造，因此需要整合半導體及磁性元件等技術才能生產
，過去主要應用在嵌入式記憶體，例如搭配CPU使用作為其快取資料用途。這次工研院、
台積電合作研發成果，已經結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，
跳脫MRAM過往以記憶體為主的應用情境。
，過去主要應用在嵌入式記憶體，例如搭配CPU使用作為其快取資料用途。這次工研院、
台積電合作研發成果，已經結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，
跳脫MRAM過往以記憶體為主的應用情境。
隨AI、高效能運算等需求崛起，台積有機會透過SOT-MRAM加上先進封裝，整合出更高運算
速度的晶片，代表未來不論高效能運算、AI及車用晶片等相關市場，都有機會採用
SOT-MRAM，台積將大咬商機。
閱讀祕書／MRAM
MRAM中文名為「磁阻式隨機存取記憶體」，具備快速及非揮發性，存取速度快，斷電也可
保存資料，關鍵在於採用了硬碟中常見的精緻磁性材料，並可整併在物聯網裝置中晶片設
計的後端互連層。
保存資料，關鍵在於採用了硬碟中常見的精緻磁性材料，並可整併在物聯網裝置中晶片設
計的後端互連層。
雖然MRAM生產成本較DRAM昂貴，隨著高速運算需求興起，MRAM有機會與DRAM搭配使用，成
為記憶體市場新商機。（蘇嘉維）
心得/評論：
沒想到SOT-MRAM這東西今年就能量產了
其他DRAM記憶體大廠傳產化 繼續變成低毛利產業
大台積不跟你們玩先走一步了
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.74.18.161 (臺灣)
※ 作者: peter080808 2024-01-19 00:15:32
※ 文章代碼(AID): #1bgKwcsO (Stock)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1705594534.A.D98.html
※ 編輯: peter080808 (42.74.18.161 臺灣), 01/19/2024 00:17:56
![[圖]]()
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推 : 原來台積有做mram喔，我還以為是以rram為主1F 01/19 00:19
推 : 這個技術完全看不懂原理...2F 01/19 00:23
→ : 噴爆3F 01/19 00:26
→ : 這是要推自有品牌產品?4F 01/19 00:27
推 : MRAM 台積電已經做很久了，但看不懂這能做什麼5F 01/19 00:30
推 : 假AI繼續蹭6F 01/19 00:34
→ : 內文不就寫了可以進一步提升運算效能7F 01/19 00:36
推 : 看不懂沒差，GG噴就對了8F 01/19 00:43
→ : 所以記憶體要降價沒? 算了沒差，噴這一根夠插個幾g9F 01/19 00:44
推 : 雖不明，但覺厲10F 01/19 00:45
→ : RRAM我記得聯電投資不少11F 01/19 00:50
→ : 美光最近也發了FeRAM的新論文，未來更有趣了
→ : 美光最近也發了FeRAM的新論文，未來更有趣了
推 : paper only13F 01/19 01:03
推 : 噴噴14F 01/19 01:04
![[圖]](https://imgur.disp.cc/3T/KfTeVuk.jpg)
→ : 研發量能強如鬼神18F 01/19 01:13
推 : 利多狂發，明天不漲停說不過去19F 01/19 01:17
推 : 這東東會像nand會耗損嗎？20F 01/19 01:34
推 : 吹了幾十年了，真的能用了嗎21F 01/19 01:35
推 : 遙遙領先22F 01/19 01:37
推 : 厲害的地方在台積sotmram 只有三到四個人在做23F 01/19 01:51
→ : 超難的 看都看不懂24F 01/19 02:15
推 : 挖 噴爆 傳統dram不就...25F 01/19 03:01
推 : 有生產線，但產品跟營收是個謎26F 01/19 03:06
推 : 黃董的AI記憶體呢？27F 01/19 03:19
推 : 台G今天會漲到630嗎？28F 01/19 03:53
推 : 穩啦！29F 01/19 03:55
推 : 爆量出貨，水啦30F 01/19 04:26
推 : 新興記憶體可以拿來做CIM或是SNNs，潛力很大的31F 01/19 05:20
→ : 工研院發表的東西都要打折32F 01/19 06:40
→ : 台積會想自己做然後立品牌？還是會挑協力廠去量產33F 01/19 06:42
→ : ？
→ : ？
推 : 台積電在2008年金融風暴，擴大投資把全台灣最優秀35F 01/19 06:44
→ : 的新鮮肝全部挖走，奠定未來的勝基。
→ : 的新鮮肝全部挖走，奠定未來的勝基。
推 : 可以想像台積電在2048年把全台灣僅剩的肝用盡後崩潰37F 01/19 07:10
推 : 有20年了吧，當初IBM吹，跟瓦斯電磁一樣，跟現在到38F 01/19 07:26
→ : 處AI xx一樣
→ : 瓦斯電池
→ : 處AI xx一樣
→ : 瓦斯電池
台積電次世代記憶體大突破 力旺、M31擁技術跟著旺 | 科技產業 | 產業 | 經濟日報
![[圖]]()
台積電在次世代記憶體MRAM技術傳出重大突破，業界看好在台積電登高一呼，將助攻主要晶圓代工大廠開始加快導入新一代MRAM... ...
![[圖]](https://money.udn.com/static/img/moneyudn.jpg)
推 : 愛普表示44F 01/19 07:52
→ : 台積跟美光不是有在合作記憶體嗎45F 01/19 08:07
推 : GG：在座的各位（記憶體）都是46F 01/19 08:11
推 : 台積電 10000 shares 歡迎外資小兒抬轎47F 01/19 08:19
推 : 感覺很厲害48F 01/19 11:46
推 : 好幾年前聽過 沒想到做出來了!49F 01/19 12:02
推 : 看了一下，跟傳統比是體積會變大，那良率跟原料成本50F 01/19 12:59
→ : 算下去離量產至少也要幾年了吧
→ : 算下去離量產至少也要幾年了吧
推 : 出貨文52F 01/19 14:03
推 : 非揮發式記憶體應該就是來挑戰FLASH的53F 01/19 17:53
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