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作者 標題 [新聞] 台積電準備HBM4基礎晶片生產
時間 Fri May 17 17:29:30 2024
原文標題: 結合 N12FFC+ 和 N5 製程技術，台積電準備 HBM4 基礎晶片生產
原文連結：https://technews.tw/2024/05/17/tsmc-prepares-for-hbm4-base-chip-production/
結合 N12FFC+ 和 N5 製程技術，台積電準備 HBM4 基礎晶片生產 | TechNews 科技新報
![[圖]]()
針對當前 AI 市場的需求，預計新一代 HBM4 記憶體將與當前的 HBM 產品有幾項主要的變化，其中最重要的就是記憶體堆疊連結介面標準，將從原本就已經很寬的 1024 位元，進一步轉向倍增到超寬的 2048 位元，這使得 HBM4 記憶體堆疊連結將不再像往常一樣，晶片供應商將需要採用比現在更先進的 ...
![[圖]](https://img.technews.tw/wp-content/uploads/2024/01/18175551/A_6747398_1.jpg)
記者署名：作者 Atkinson | 發布日期 2024 年 05 月 17 日 9:45
針對當前 AI 市場的需求，預計新一代 HBM4 記憶體將與當前的 HBM 產品有幾項主要的
變化，其中最重要的就是記憶體堆疊連結介面標準，將從原本就已經很寬的 1024 位元，
進一步轉向倍增到超寬的 2048 位元，這使得 HBM4 記憶體堆疊連結將不再像往常一樣，
晶片供應商將需要採用比現在更先進的封裝方法，來容納堆疊連結介面超寬的記憶體。
變化，其中最重要的就是記憶體堆疊連結介面標準，將從原本就已經很寬的 1024 位元，
進一步轉向倍增到超寬的 2048 位元，這使得 HBM4 記憶體堆疊連結將不再像往常一樣，
晶片供應商將需要採用比現在更先進的封裝方法，來容納堆疊連結介面超寬的記憶體。
在日前舉辦的 2024 年歐洲技術研討會上，台積電提供了有關接下來將為 HBM4 製造的基
礎晶片一些新細節。未來 HBM4 將使用邏輯製程來生產，由於台積電計劃採用其 N12 和
N5 製程的改良版，藉以完成這項任務。相較於記憶體供應商目前沒有能力可以經濟的生
產如此先進的基礎晶片，這一發展預計使得台積電藉此也能在 HBM4 製造中占據有利地位
。
礎晶片一些新細節。未來 HBM4 將使用邏輯製程來生產，由於台積電計劃採用其 N12 和
N5 製程的改良版，藉以完成這項任務。相較於記憶體供應商目前沒有能力可以經濟的生
產如此先進的基礎晶片，這一發展預計使得台積電藉此也能在 HBM4 製造中占據有利地位
。
根據 Anandtech 的報導，針對第一波 HBM4 的生產，台積電準備使用兩種製程技術，包
括 N12FFC+ 和 N5。根據台積電設計與技術平台高級總監表示，我們正在與主要 HBM 記
憶體合作夥伴（美光、三星、SK 海力士）合作，在先進節點上達成 HBM4 的全堆疊整合
。其中，在 N12FFC+ 生產的基礎晶片方面是具有成本效益的做法，而 N5 製程技術生產
的基礎晶片，則可以在 HBM4 的性能需求下，以更優異的功耗效能提供更多基礎晶片。
括 N12FFC+ 和 N5。根據台積電設計與技術平台高級總監表示，我們正在與主要 HBM 記
憶體合作夥伴（美光、三星、SK 海力士）合作，在先進節點上達成 HBM4 的全堆疊整合
。其中，在 N12FFC+ 生產的基礎晶片方面是具有成本效益的做法，而 N5 製程技術生產
的基礎晶片，則可以在 HBM4 的性能需求下，以更優異的功耗效能提供更多基礎晶片。
報導指出，台積電認為，他們的 12FFC+ 製程非常適合實現 HBM4 效能，使記憶體供應商
能夠建構 12 層堆疊 (48 GB) 和 16 層堆疊 (64 GB)，每堆疊頻寬超過 2 TB/s。另外，
台積電也正在針對 HBM4 透過 CoWoS-L 和 CoWoS-R 先進封裝進行優化，達到 HBM4 的介
面超過 2,000 個互連，以達到信號完整性。
能夠建構 12 層堆疊 (48 GB) 和 16 層堆疊 (64 GB)，每堆疊頻寬超過 2 TB/s。另外，
台積電也正在針對 HBM4 透過 CoWoS-L 和 CoWoS-R 先進封裝進行優化，達到 HBM4 的介
面超過 2,000 個互連，以達到信號完整性。
另外，N12FFC+ 技術生產的 HBM4 基礎晶片，將有助於使用台積電的 CoWoS-L 或
CoWoS-R 先進封裝技術構建系統級封裝 (SiP)，該技術可提供高達 8 倍標線尺寸的中介
層，空間足夠容納多達 12 個 HBM4 記憶體堆疊。根據台積電的數據，目前 HBM4 可以
在 14mA 電流下達到 6GT/s 的數據傳輸速率。
層，空間足夠容納多達 12 個 HBM4 記憶體堆疊。根據台積電的數據，目前 HBM4 可以
在 14mA 電流下達到 6GT/s 的數據傳輸速率。
至於在 N5 製程方面，記憶體製造商也可以選擇採用台積電的 N5 製程來生產 HBM4 基礎
晶片。N5 製程建構的基礎晶片將封裝更多的邏輯，消耗更少的功耗，並提供更高的效能
。其最重要的好處是這種先進的製程技術可以達到非常小的互連間距，約 6 至 9 微米。
這將使得 N5 基礎晶片與直接鍵合結合使用，進而使 HBM4 能夠在邏輯晶片頂部進行 3D
堆疊。直接鍵合可以達到更高的記憶體效能，這對於總是尋求更大記憶體頻寬的 AI 和
HPC 晶片來說預計將是一個巨大的提升。
晶片。N5 製程建構的基礎晶片將封裝更多的邏輯，消耗更少的功耗，並提供更高的效能
。其最重要的好處是這種先進的製程技術可以達到非常小的互連間距，約 6 至 9 微米。
這將使得 N5 基礎晶片與直接鍵合結合使用，進而使 HBM4 能夠在邏輯晶片頂部進行 3D
堆疊。直接鍵合可以達到更高的記憶體效能，這對於總是尋求更大記憶體頻寬的 AI 和
HPC 晶片來說預計將是一個巨大的提升。
(首圖來源：台積電)
心得/評論：
台積電要跨入記憶體製造了? 而且是最肥的HBM記憶體
這一塊估計會有多大的營收呢?
如果是真的，那三星跟LG不就完蛋了
靠記憶體賺的錢，拿來補邏輯的坑
被GG搶到這塊肉之後，要投降了嗎?
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 49.217.135.111 (臺灣)
※ 作者: howardcb 2024-05-17 17:29:30
※ 文章代碼(AID): #1cHoDyJG (Stock)
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![[圖]](https://i.imgur.com/ukcmeVvh.jpg)
推 : 勿忘光電廠2F 05/17 17:31
推 : 記憶體廠:???3F 05/17 17:31
推 : 疊上癮了4F 05/17 17:32
推 : 根志聖 均豪 均華 力成有關嗎5F 05/17 17:32
※ 編輯: howardcb (49.217.135.111 臺灣), 05/17/2024 17:36:34推 : 只是IC而已，佔營收不多，但未來AIPC也開始用cowos6F 05/17 17:34
→ : 的話，晶圓銷售量可望上昇
→ : 的話，晶圓銷售量可望上昇
推 : 台積電也要生產DRAM?8F 05/17 17:34
推 : 中間有寫 合作9F 05/17 17:34
→ : 美光 三星 海力士？？？10F 05/17 17:35
→ : 313111F 05/17 17:36
推 : 台積電可以生產 國內的記憶體廠是不是沒用了12F 05/17 17:39
推 : 國內就低階的 台積有沒有切入都不會影響他們13F 05/17 17:41
推 : 記憶體IC方面，GG也只是代工，只是面對這三家都用n514F 05/17 17:43
→ : 下去做，其他控制IC公司利潤會下降
→ : 下去做，其他控制IC公司利潤會下降
→ : 真的要通包了16F 05/17 17:43
→ : 台積電認為「他們的」12FFC+ ... 台積自己有做17F 05/17 17:44
推 : 記憶體8888818F 05/17 17:44
推 : 不是跟海力士的合作案？19F 05/17 17:45
→ : 記憶體製造商也可以選擇採用台積電的 N5 製程來生20F 05/17 17:45
→ : ？？？我的美光該賣惹21F 05/17 17:45
→ : 產 HBM4 基礎晶片22F 05/17 17:45
→ : HBM根本沒台廠的事23F 05/17 17:45
→ : 內文看起來就是合作案啊…24F 05/17 17:45
![[圖]](https://i.imgur.com/UrgG97Wh.jpg)
推 : 這樣很好啊 I社高階膠水也是要用先進製程基板26F 05/17 17:46
→ : 來下單就對了
→ : 你家沒高階製程 當然就不會有高階製程基板
→ : 來下單就對了
→ : 你家沒高階製程 當然就不會有高階製程基板
→ : chip on wafer的 wafer29F 05/17 17:48
推 : 99829930F 05/17 17:48
推 : 說不定幾年後，HBM會喪心病狂到拿n5來做互連基板晶31F 05/17 17:50
→ : 片
→ : 片
推 : 太神啦記憶體夢幻陣容，美光+海力士怎麼輸33F 05/17 17:53
→ : 都是晶圓...34F 05/17 17:53
→ : 阿怎麼有三星，代工全面棄守了嗎35F 05/17 17:53
推 : 以後手機晶片都用HMB 真是不得了36F 05/17 17:53
推 : 那個括號全寫是啥小 不是只跟海力士嗎?37F 05/17 17:54
推 : Hbm台灣只是代工仔？38F 05/17 17:56
推 : 台積只負責堆 記憶體要合作39F 05/17 17:56
→ : 噴40F 05/17 18:04
推 : 賺爛41F 05/17 18:04
→ : 產能利用率拉滿，真的千元以下無腦買
→ : 產能利用率拉滿，真的千元以下無腦買
→ : 所以台廠記憶體在漲什麼43F 05/17 18:07
推 : 看不太懂 但感覺很厲害 買就對了44F 05/17 18:07
推 : GUC45F 05/17 18:09
推 : 怕46F 05/17 18:11
→ : GG直接統一全世界47F 05/17 18:11
推 : 封測給誰做啊48F 05/17 18:16
推 : 台積電也變成HBM概念股了49F 05/17 18:17
推 : 三星：等等我….我要超車啊….50F 05/17 18:18
→ : 台廠記憶體就撿人家吃剩的 跟漲而已51F 05/17 18:18
推 : cowos概念股有什麼感覺之後會噴52F 05/17 18:21
→ : 這是中間層 不是HBM顆粒本身吧53F 05/17 18:26
→ : Cowos辛耘 弘塑 志聖 群翊 均豪 均華 早就炒到天上54F 05/17 18:41
推 : 三星晶圓代工遲早倒閉55F 05/17 18:47
推 : 有點犯規了56F 05/17 18:47
推 : 要稱霸了57F 05/17 18:50
推 : HBM是一個新世界 極端的說市場跟全記憶體市場一樣大58F 05/17 18:52
推 : Hbm 就dram + soc 台積可能負責soc與封裝59F 05/17 18:57
推 : 三星沒過NV規格 現在就是買海+美顆粒進來 GG封裝60F 05/17 18:58
推 : 舊製程，新應用？61F 05/17 19:05
→ : 問這個 創意344362F 05/17 19:30
推 : 三星說好的彎道超車沒戲63F 05/17 19:32
推 : 都給你玩就好了64F 05/17 19:39
推 : 笑死 前面一堆人沒看內文 連跟誰合作都不知道 XDD65F 05/17 20:00
推 : 不知道封測會不會順便給力成66F 05/17 20:03
推 : 回樓上鬼城只能堆疊2-4層67F 05/17 20:10
推 : 台積大腸能賠不怕68F 05/17 20:18
推 : 這樣堆這麼多層，居然不會過熱，真的有下功夫69F 05/17 20:22
推 : 整合成一顆是必然.以後應該是接電源2根後植入後光70F 05/17 20:23
→ : 纖，送電後收訊號，訓練完閃幾個光傳出模型
→ : 纖，送電後收訊號，訓練完閃幾個光傳出模型
→ : 訊號來了？72F 05/17 21:36
噓 : 被洗腦真嚴重，還在提力成！73F 05/17 21:47
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