台積電（2330）致股東營業報告書今（5）日上傳，台積電董事長劉德音、總裁魏哲家在

致股東的營業報告書中回顧過去台積電過去一年發展，並提及台積電技術發展，正為預計

於民國一百一十四年開始量產的2奈米技術（N2）做準備，該製程技術將座落於新竹和台

N2將為我們的客戶提供最佳的效能、成本，和技術成熟度，並將進一步擴展我們未來的技

術領先地位。

台積電致股東營業報告書說，隨著3奈米技術在民國一百一十一年邁入量產，並且在 PPA

（效能、功耗及面積）及電晶體技術上都是最先進的半導體技術，台積公司持續擴大我們

的技術領先。我們正在為下一世代的技術奠定堅實基礎，N2 技術的研發依計畫進行中，

預計於民國一百一十三年試產，並於民國一百一十四年量產。我們的2奈米技術推出時，

台積電致股東營業報告書也提到，民國一百一十一年，台積公司持續提升研發費用至54億

7,000萬美元，以擴大我們的技術領先和差異化優勢。我們亦與客戶密切合作，協助全球

的創新者釋放創新，為半導體產業創造更大價值。

繼 N3 技術於民國一百一十一年進入量產，具備更好的性能、功耗和良率的N3E 將進一步

擴充我們的 N3 家族。N3E 預計於民國一百一十二年下半年量產。我們的 N3 和 N3E 客

戶參與度非常高，量產第一年和第二年的產品設計定案數量將是 N5 的兩倍以上。我們預

台積電致股東營業報告書也說，隨著台積公司不斷突破電晶體微縮的極限，也在不斷擴展

台積公司3DFabric設計解決方案，以提升系統級效能至新境界。台積公司3DFabric結合了

晶圓級 3D 和先進封裝技術，在我們的 3D 技術方面，系統整合晶片（TSMC-SoIC）晶片

堆疊於晶圓之上（Chip on Wafer, CoW）技術成功於民國一百一十一年邁入量產，透過將

靜態隨機存取記憶體（SRAM）堆疊於邏輯晶圓上展現顯著的效能優化；系統整合晶片（

TSMC-SoIC）晶圓堆疊於晶圓之上（Wafer on Wafer, WoW）技術則透過在深溝槽電容晶圓

上堆疊 7 奈米邏輯晶圓，為民國一百一十一年的高效能運算（HPC）產品展現了卓越的系

統效能強化。在我們的先進封裝技術方面，CoWoS®-S技術整合了多個系統單晶片（SoC）

、高頻寬記憶體（HBM）堆疊和三倍光罩尺寸的矽基板，成功於民國一百一十一年量產以

支援客戶的高效能運算（HPC）產品；在整合型扇出（InFO）先進封裝技術方面，整合了

多個系統單晶片（SoC）和兩倍光罩尺寸扇出封裝的台積公司整合型扇出暨基板封裝技術

（InFO-oS），亦成功邁入量產。