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作者 hvariables (Speculative Male)
標題 [新聞] 電晶體微縮...英特爾大突破
時間 Wed Dec 13 12:43:56 2023

https://www.chinatimes.com/newspapers/20231213000180-260202?chdtv

電晶體微縮...英特爾大突破

04:10 2023/12/13 工商時報 陳穎芃 、綜合外電

英特爾為了在半導體市場重拾競爭力，近日在年度IEEE國際電子元件會議（IEDM）上發表
多項新一代電晶體微縮技術突破，其中最大亮點，是晶片背部供電及直接背部接觸的3D堆
疊互補金屬氧化物半導體（CMOS）電晶體，有助英特爾朝4年5節點的目標邁進。


隨著電腦運算需求急速擴大，英特爾近年不斷設法延續摩爾定律，並訂下4年5節點的計畫
，宣稱未來新晶片設計的規格單位將不再侷限於奈米，而是進入埃米時代（Angstrom Era
）。


英特爾先前已宣布明年推出的20埃米（20A）節點將運用新一代RibbonFET技術，這次在
IEEE國際電子元件會議上又發表更新技術，那就是晶片背部供電及直接背部接觸的3D堆疊
CMOS電晶體。

英特爾在會中展示，這項創新技術能在小至60奈米的微縮閘極間距垂直堆疊互補場效電晶
體（CFET），大幅提升空間效率。

英特爾表示，晶片背部供電及直接背部接觸的3D堆疊CMOS電晶體能將處理器電力互連元件
移至晶片背面，換言之晶片正面能容納更多資料傳輸元件，況且電力互連元件的體積也能
擴大，相對減少電阻。


事實上，英特爾早在兩年前就為3D堆疊CMOS電晶體申請專利，但在今年5月ITF World大會
上才首度公開3D堆疊電晶體研發計畫。英特爾近日公布的製程技術藍圖一再強調電晶體微
縮技術創新，其中PowerVia晶片背面供電技術已經預定明年量產。


#堆疊 #CMOS #供電 #元件 #電晶體

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佛沒說小乘、大乘。上座部佛教馬哈希尊者具戒經講記拆穿假佛教大乘妙法蓮華經的騙局
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https://www.ptt.cc/bbs/soul/M.1523979060.A.68C.html
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.230.161.14 (臺灣)
※ 作者: hvariables 2023-12-13 12:43:56
※ 文章代碼(AID): #1bUJQGUq (Tech_Job)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1702442640.A.7B4.html
→ VSshow: 還不是被GG電！1F 12/13 12:53
推 motan: https://i.imgur.com/LMKlhDh.jpg2F 12/13 12:58
[圖]
噓 SkyShih: 畫大餅大家都會3F 12/13 13:04
推 havochuman: 天元突破4F 12/13 13:23
推 leon1757tw: 急了5F 12/13 15:05
推 popileds: 2nm是突破啥6F 12/13 16:13
推 jason61206: 原來大家的思維都是先否定別人7F 12/13 16:13
推 jimcjp: 英特爾最不缺黑科技8F 12/13 16:29
推 sqt: 關鍵字：牙膏，車尾燈，後照鏡9F 12/13 17:02
→ controlgod: 有良率才能賺錢10F 12/13 17:09
推 venomsoul: 埃米是啥小11F 12/13 17:36
推 losehope: GG應該戒慎恐懼，居安思危才對！12F 12/13 18:11
→ btpeter: GG可悲仔…一堆輪班仔 有沒有專業點的RD上來回下…都一堆不懂三小的設備仔推文….13F 12/13 18:18
推 iosian: 縮了15F 12/13 18:53
推 centra: 是英特爾的概念也沒錯16F 12/13 19:12
→ Cramael: 這些不是台積科技論壇都有講了？17F 12/13 19:13
噓 ijk1: 笑了 原來都是不懂製程的設備仔在推文喔18F 12/13 19:52
推 Shepherd1987: 看推文這麽有信心, 台積穩了19F 12/13 19:57
推 bravobrave: 電晶體顯影眼鏡20F 12/13 19:58
推 ljsnonocat2: Angstrom應該直接叫埃，不需要米21F 12/13 20:50
推 randystock: 埃米那姆？22F 12/13 22:18
推 Battie: 在這兒GG RD推謹慎的文,就會被產線菁英笑,畢竟GG都是靠產線菁英在這兒嗆聲才會強的23F 12/13 22:35
→ stonecold123: 一堆門外漢  特爾輸t太多了  不管前後段都是 特爾已然是PPT公司25F 12/14 06:44
推 F1239810: GG也微縮了27F 12/14 10:37
推 ghgn: 我記得GG自己也有研發3D堆疊 英特爾這個應該是不同堆疊方法吧？28F 12/14 13:16
→ btpeter: GG 3D封裝有分前段SOIC 跟後段的FION ,COWOS 都是把2.5D 中間的silicon introposer 拿掉 用TSV取代….30F 12/14 15:11
推 kkithh: PowerVia聽起來像把power走線跟元件放到chip 背面，正面空間可以全放std cell，聲稱utilization可高達90%，IR drop可大幅改善並提昇clock rate
有沒有業內的評論一下33F 12/14 15:26
推 Hsinxyzzyx: 20A=2奈米 1奈米就是10A我以為大家都有讀過書37F 12/14 21:28

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