中國大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元（約新台幣7,680億元

），在武漢東湖高新區興建全球單一最大3D儲存型快閃記憶體（NAND Flash）廠，為全球

記憶體市場投下一顆震撼彈。

    半導體設備業透露，紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長

江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸記憶

體產業從零突破的開端，也創下由國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作的新合

作模式。

    由紫光集團聯合國家集成電路產業基金（大基金）、湖北省地方基金、湖北省科投共

同投資，並結合武漢、上海、矽谷及台灣等研發人員，決定以自主研發投入生產3D NAND

Flash設計、製造。

    由長江存儲主導投資的3D NAND Flash廠，位於武漢東湖高新區的武漢未來科技城，占

地高達1,968畝，將建立三座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash廠房，一座總部研發

大樓和其他若干配套建築，第一期計畫預定2018年建成啟用投產，2020年全部完工，月產

能將達到30萬片，年產值將超過100億美元。將成為全球最大單一NAND晶片製造廠。至於後

續的封測，以南茂為主要封測平台，但力成也積極接洽爭取。

    紫光高層並透露，長江存儲將會等到取得國際大廠授權，或自主研發技術達到成熟階

段，才會跨足DRAM製造，絕不會竊取他廠的技術或專利投入生產。

    紫光集團董事長趙偉國上月30日宣布這項投資案，當天包括：中共工信部副部長劉利

華、工信部電子信息司司長刁石京、國家發改委高技術產業司副司長孫偉、國家集成電路

產業投資基金公司董事長王占甫等人，與湖北省副省長許克振，武漢市委、常務副市長龍

正才、東湖高新區黨工委書記胡立山等重要官員都親自出席，為中國大陸跨足建立自主記

憶體技術且是歷年來單筆最大投資案做見證。

    業界人士指出，雖然紫光集團強調技術自主研發，但近期已積極對台展開大規模挖角

行動，值得有關單位和企業密切注意。