---

上游有原料
下游不支持啊
不過如果出現其他狀況
Intel改路線也不是沒發生過
但是目前看來Intel是打算跟以前VIA方向走經濟路線
(看看那精美的RAMBUS)
==============================================
Intel Roadmap透漏 DDR3將延續到2014年





    旗艦平台的X79支持四通道DDR3，除了目前的SNB-E處理器之外，下一代Ivy
Bridge-E也將兼容X79平台，內存規格也不會有變化。



圖
http://ppt.cc/;m6s



    來源：http://www.expreview.com/18662.html

※ 引述《nikia3310 (就這樣吧)》之銘言：
: http://tinyurl.com/7wflngg
: 2012/03/06-嚴思涵
: 據南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導體(Hynix) 2012年底
: 將會投入次世代記憶體DDR 4量產，領先全球記憶體市場。三星、海力士等近來在美國舊金
: 山國際固態電路會議(ISSCC)上展示了30奈米等級DDR 4的試製品。
: 兩大韓廠推出的試製品是以30奈米等級微細製程研發，2012年底則計劃採用20奈米等級製
: 程投入量產。
: DDR 4 DRAM較目前市場上的主要產品DDR 3耗電量低，且資訊傳輸速度約提升2倍，微次世
: 代DRAM規格。而兩大韓廠推出的試製品採用了聯合電子裝置工程協會(JEDEC)規格。全球記
: 憶體晶片業者中，目前僅三星和海力士研發出DDR 4試製品，未來DDR 4的標準化作業主導
: 權，可能也會落到三星及海力士手上。
: 三星推出的DDR 4記憶體在1.2伏特(V)電壓下可驅動2,133MHz，而海力士的產品在同樣的電
: 壓下，可驅動2,400MHz。相較於兩大韓廠的試製品在1.5V下驅動的DDR 3記憶體相比，耗電
: 量減少了40~50%。
: 三星及海力士內部人員透露，瞄準高規格電腦或超小型伺服器市場，2012年底將會採用20
: 奈米等級製程量產DDR 4產品。
: 海力士行銷本部長金知範指出，海力士研發的DDR 4試製品可滿足環保、低耗電、高性能等
: 特性。除現有的電腦及伺服器市場外，也將會針對快速成長的平板電腦(Tablet PC)市場提
: 出具高附加價值的解決方案。
: 根據市調機構iSuppli統計，整體DRAM晶片中，DDR 4比重在2013年將會達到1%，至2015年
: 可望突破45%，成為市場主要產品。此外，DDR 3產品比重在2011年時為72%，達到最高值後
: 將持續降低，2015年將會減少至15%。
: 怎麼辦
: 我們好像被甩在後面了?
: 政府會出手嗎?

--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 114.25.229.34

--